ME1180/1180低功耗全极性霍尔效应开关传感器元件IC芯片

ME1180全极霍尔效应传感器IC由混淆信号CMOS技能制造。ITin-企业初级斩波波动技能以提供正确且波动的磁性开关点。电路设计提供外部控制用于将功率循环到霍尔元件的计机遇谈判模仿信号处置电路。这用于安排高电流斲丧局部将电路转换为“就寝”形式。周期性地所需的设置装备摆设由这个外部逻辑举行“被叫醒”，而且所需的评价霍尔元件的磁通量针对预界说的阈值。假如通量密度高于或低于BOP/BRP阈值那么,输入晶体管被驱动以改动States-LY。在“就寝”循环中输入晶体管是锁定在其先前形态。该设计已在使用中举行了商业化必要扩展运转寿命电池供电的体系。ME1180的输入晶体管将被锁定开启（BOP）在存在充足强的状况下,南或面向标志的北磁场管道的正面包装。输入将被锁存(BRP)在没有磁场。

ME1180特性

电池供电使用的微功耗